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半导体级臭氧发生器
- 发布日期：2022-02-09 10:44:30
- 详细介绍
半导体级臭氧发生器
半(ban)导体晶圆清洗(xi)、CVD化(hua)学处理 臭氧氧化(hua)处理
晶圆(yuan)氧(yang)化 光(guang)刻(ke)胶处理 光(guang)掩膜 蚀(shi)刻(ke)工艺 抗蚀(shi)剂去除(chu)
一、概述(shu)
半导(dao)体(ti)级臭(chou)氧(yang)发生器应用于微电子(zi)产品生产用高纯水(shui)(shui)、半导(dao)体(ti)、显像(xiang)管等制造业。臭(chou)氧(yang)分解和所需羟基(ji)的(de)(de)(de)(de)形成(cheng)正好在(zai)污染物所处的(de)(de)(de)(de)位置上发生。通(tong)过采用这种方法达到了工艺上的(de)(de)(de)(de)目标，晶(jing)圆在(zai)一(yi)个被(bei)注入(ru)了干燥臭(chou)氧(yang)气体(ti)的(de)(de)(de)(de)工艺腔中(zhong)(zhong)，同时(shi)水(shui)(shui)雾被(bei)喷到晶(jing)圆的(de)(de)(de)(de)表面。约240g/m3的(de)(de)(de)(de)高浓度臭(chou)氧(yang)被(bei)注入(ru)到工艺腔中(zhong)(zhong)，而(er)同时(shi)把水(shui)(shui)以(yi)水(shui)(shui)雾或气雾的(de)(de)(de)(de)形式(shi)喷到旋(xuan)转(zhuan)晶(jing)圆的(de)(de)(de)(de)表面。晶(jing)圆的(de)(de)(de)(de)旋(xuan)转(zhuan)，加(jia)上适度的(de)(de)(de)(de)喷水(shui)(shui)速率，会产生一(yi)个薄(bo)层中(zhong)(zhong)，臭(chou)氧(yang)发生反应产生活性物质来清除污染物。
二、主要技术参数:
